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FMUSER Original Novo MRF6VP2600H RF Transistor De Potência MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Canaleta de Banda Larga
FMUSER Original New MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband Visão geral O MRF6VP2600H é projetado principalmente para aplicações de banda larga com frequências de até 500 MHz. O dispositivo é incomparável e adequado para uso em aplicativos de transmissão. Características * Desempenho DVB-T OFDM típico: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Avg., F = 225 MHz, largura de banda do canal = 7.61 MHz, Sinal de entrada PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabilidade no CCDF. Ganho de potência: 25 dB Eficiência de drenagem: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Largura de banda * Desempenho típico de pulsação: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts de pico, f = 225 MHz, largura de pulso = 100
Detalhe
Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
245 | 1 | 35 | 280 | DHL |
FMUSER Original Novo MRF6VP2600H Transistor de potência RF Transistor MOSFET 500 MHz 600 W Lateral N-Channel Broadband
Visão geral
O MRF6VP2600H é projetado principalmente para aplicativos de banda larga com freqüências de até 500 MHz. O dispositivo é incomparável e é adequado para uso em aplicativos de transmissão.
Funcionalidades
* Desempenho DVB-T OFDM típico: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Avg., F = 225 MHz, largura de banda do canal = 7.61 MHz, Sinal de entrada PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabilidade em CCDF. Ganho de energia : 25 dB Eficiência de drenagem: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz de largura de banda
* Desempenho pulsado típico: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = pico de 600 Watts, f = 225 MHz, largura de pulso = 100 µseg, Ciclo de trabalho = 20% Ganho de energia: 25.3 dB Eficiência de trem: 59%
* Capaz de Manipulação 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Potência Máxima de Watts, Largura de Pulso = 100 µseg, Ciclo de Trabalho = 20%
* Caracterizado com Parâmetros Equivalentes de Impedância de Sinal Grande Equivalente
* Capacidade de Operação CW com Refrigeração Adequada
* Qualificado até um máximo de 50 operação VDD
* Integrado de Proteção ESD
* Projetado para operação Push-Pull
* Grande faixa de tensão de gate-source negativa para operação de Classe C melhorada
* RoHS Compliant
* Em fita e bobina. R6 Suffix = 150 Units por 56 mm e 13 inch Reel.
Especificação
Frequência (Min) (MHz): 2
Frequência (Max) (MHz): 500
Tensão de Alimentação (Typ) (V): 50
P1dB (Typ) (dBm): 57.8
P1dB (Typ) (W): 600
Potência de Saída (Typ) (W) @ Nível de Intermodulação no Sinal de Teste: 125.0 @ AVG
Sinal de teste: OFDM
Ganho de Potência (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225
Eficiência (Typ) (%): 28.5
Resistência Térmica (Spec) (℃ / W): 0.2
Correspondência: incomparável
Classe: AB
Die Tecnologia: LDMOS
Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
245 | 1 | 35 | 280 | DHL |