Adicionar favorito Set Homepage
Posição:Início >> Produtos >> RF Transistor

produtos Categoria

produtos Etiquetas

Sites Fmuser

FMUSER Original Novo MRF6VP2600H RF Transistor De Potência MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Canaleta de Banda Larga

FMUSER Original New MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband Visão geral O MRF6VP2600H é projetado principalmente para aplicações de banda larga com frequências de até 500 MHz. O dispositivo é incomparável e adequado para uso em aplicativos de transmissão. Características * Desempenho DVB-T OFDM típico: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Avg., F = 225 MHz, largura de banda do canal = 7.61 MHz, Sinal de entrada PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabilidade no CCDF. Ganho de potência: 25 dB Eficiência de drenagem: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Largura de banda * Desempenho típico de pulsação: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts de pico, f = 225 MHz, largura de pulso = 100

Detalhe

Preço (USD) Qtde (PCS) Shipping (USD) Total (USD) Método de Envio: Pagamento
245 1 35 280 DHL

 


FMUSER Original Novo MRF6VP2600H Transistor de potência RF Transistor MOSFET 500 MHz 600 W Lateral N-Channel Broadband

Visão geral

O MRF6VP2600H é projetado principalmente para aplicativos de banda larga com freqüências de até 500 MHz. O dispositivo é incomparável e é adequado para uso em aplicativos de transmissão.



Funcionalidades

Desempenho DVB-T OFDM típico: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Avg., F = 225 MHz, largura de banda do canal = 7.61 MHz, Sinal de entrada PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabilidade em CCDF. Ganho de energia : 25 dB Eficiência de drenagem: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz de largura de banda

Desempenho pulsado típico: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = pico de 600 Watts, f = 225 MHz, largura de pulso = 100 µseg, Ciclo de trabalho = 20% Ganho de energia: 25.3 dB Eficiência de trem: 59%

Capaz de Manipulação 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Potência Máxima de Watts, Largura de Pulso = 100 µseg, Ciclo de Trabalho = 20%

Caracterizado com Parâmetros Equivalentes de Impedância de Sinal Grande Equivalente

Capacidade de Operação CW com Refrigeração Adequada

Qualificado até um máximo de 50 operação VDD

Integrado de Proteção ESD

Projetado para operação Push-Pull

Grande faixa de tensão de gate-source negativa para operação de Classe C melhorada

RoHS Compliant

Em fita e bobina. R6 Suffix = 150 Units por 56 mm e 13 inch Reel.



Especificação

Frequência (Min) (MHz): 2

Frequência (Max) (MHz): 500

Tensão de Alimentação (Typ) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Potência de Saída (Typ) (W) @ Nível de Intermodulação no Sinal de Teste: 125.0 @ AVG

Sinal de teste: OFDM

Ganho de Potência (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Eficiência (Typ) (%): 28.5

Resistência Térmica (Spec) (℃ / W): 0.2

Correspondência: incomparável

Classe: AB

Die Tecnologia: LDMOS




 

 

Preço (USD) Qtde (PCS) Shipping (USD) Total (USD) Método de Envio: Pagamento
245 1 35 280 DHL

 

Deixe um recado 

Nome *
E-mail *
Telefone
Endereço
Code Veja o código de verificação? Clique refrescar!
Mensagem
 

Lista de mensagens

Comentários Loading ...
Início| Sobre Nós| Produtos| Novidades| Baixar| Suporte| Opiniões sobre o curso| Contacto| e eficaz

Contato: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: +86 183 1924 4009

Skype: tomleequan E-mail: [email protegido] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

Endereço em inglês: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 Endereço em chinês: 广州市天河区黄埔大道西273号惠兰阁305(3E)