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MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR
MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR Descrição Esses dispositivos de alta robustez, MRFE6VP5300NR1 e MRFE6VP5300GNR1, são projetados para uso em alto VSWR industrial (incluindo excitadores de laser e plasma), broadcast (analógico e digital), aeroespacial e aplicações móveis de rádio / terra. Eles são designs de entrada e saída incomparáveis, permitindo a utilização de uma ampla faixa de frequência, entre 1.8 e 600 MHz. Características ● Ampla faixa de frequência operacional ● Robustez extrema ● Entrada e saída incomparáveis, permitindo ampla utilização da faixa de frequência ● Aprimoramentos de estabilidade integrados ● Baixa resistência térmica ● Circuito de proteção ESD integrado ● Compatível com RoHS ● Em fita e carretel. Sufixo R1 = 500 unidades, largura de fita de 44 mm, carretel de 13 polegadas. Parametrização Chave
Detalhe
| Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
| 135 | 1 | 0 | 135 | DHL |
MRFE6VP5300N TRANSISTOR RF MOSFET DE POTÊNCIA
Descrição
Esses dispositivos de alta robustez, MRFE6VP5300NR1 e MRFE6VP5300GNR1, são projetados para uso em aplicações industriais de alto VSWR (incluindo excitadores a laser e plasma), broadcast (analógico e digital), aeroespacial e rádio / terra móvel. Eles são designs de entrada e saída incomparáveis, permitindo ampla utilização de faixa de frequência, entre 1.8 e 600 MHz.Funcionalidades
●Ampla faixa de freqüência operacional
●Robustez Extrema
●Entrada e saída incomparáveis que permitem a utilização de ampla faixa de freqüência
●Melhorias de estabilidade integradas
●Baixa resistência térmica
●Circuito de proteção ESD integrado
●RoHS Compliant
●Em fita e bobina. Sufixo R1 = unidades 500, largura da fita 44 mm, bobina 13-inch.
Parâmetros-chave
●Frequência (Min) 1.8 (MHz)
●Frequência (máx.) 600 (MHz)
●Tensão de alimentação (típica) 50 (V)
●P1dB (Typ) 54.8 (dBm)
●P1dB (Typ) 300 (W)
●Potência de saída (Typ) (W) @ Nível de intermodulação no sinal de teste 300.0 @ CW
●Sinal de teste CW
●Ganho de potência (típico) 25.0 @ 230 (dB) @ f (MHz)
●Eficiência (típica) 70 (%)
●Resistência térmica (especificação) 0.22 (℃ / W)
O pacote inclui
1x MRFE6VP5300N RF Transistor
| Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
| 135 | 1 | 0 | 135 | DHL |
