FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Potência LDMOS RF Potência Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast Fornecedor One-Stop

FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Potência LDMOS RF Transistor Descrição: Um transistor de potência 600 W LDMOS RF para aplicações de transmissão de transmissão e aplicações industriais. A excelente robustez deste dispositivo o torna ideal para aplicações de transmissor digital e analógico. Características ● Excelente robustez (VSWR ≥ 40: 1 em todas as fases) ● Comportamento térmico ideal e confiabilidade, Rth (jc) = 0.15 K / W ● Adequado para aplicações CW UHF e ISM ● Alto ganho de potência ● Alta eficiência ● Projetado para operação de banda larga (470 MHz a 860 MHz) ● Correspondência de entrada interna para alto ganho e operação de banda larga ideal ● Excelente confiabilidade ● Fácil

Detalhe

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FMUSER Óptimo estado. Original BLF888A 600W 50V Potência UHF Potência RF LDMOS Transistor

Descrição:

Um transistor de potência RF 600 W LDMOS para aplicações de transmissores de transmissão e aplicações industriais. A excelente robustez deste dispositivo torna-o ideal para aplicações de transmissores digitais e analógicos.

Funcionalidades

● Excelente robustez (VSWR ≥ 40: 1 em todas as fases)
● Comportamento térmico ideal e confiabilidade, Rth (jc) = 0.15 K / W
● Adequado para aplicações CW UHF e ISM
● Ganho de potência alta
● Alta eficiência
● Projetada para uma operação de banda larga (470 MHz para 860 MHz)
● Correspondência de entrada interna para alto ganho e operação de banda larga ideal
● excelente confiabilidade
● controle de potência Fácil
● Conformidade com a Diretiva de Restrição de Substâncias Perigosas (RoHS) 2002/95 / EC

Aplicações
● Aplicações de transmissores de comunicação na banda UHF

● Aplicações industriais na banda UHF

parâmetros

● Símbolo Parâmetro Condições min Tipo / Nome: Max Unidade
● Gama F alcance de frequência: 470 860 MHz
● PL (1dB) potência nominal de saída: com compressão de ganho de 1 dB 600 IN
● Sinal de teste: DVB-T (8k OFDM)
● Gp ganho de potência VDS = 50 V; f = 858 MHz 20 dB
o D eficiência de drenagem VDS = 50 V; f = 858 MHz; IDq = 1.3 A 31 %
● PL (AV) potência média de saída VDS = 50 V; f = 858 MHz 120 IN
● MDshldr intermodulação distorção ombro atenuação f = 858 MHz [0] -31 dBc
● BY proporção de pico para média f = 858 MHz [1] 7.8 dB
● Tipo: Transistores discretos de potência RF
● Frequência Mín: 0.47 GHz
● Freqüência máxima: 0.86 GHz
● Potência de saída: 600 W.

● Ganho: 20 dB

● % Tipo de eficiência: 58