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MRFX1K80H: 1800 W CW em 1.8-400 MHz, 65 V de banda larga RF RF Power Transistor LDMOS
MRFX1K80H: 1800 W CW acima de 1.8-400 MHz, 65 V de banda larga RF Potência Transistor LDMOS Descrição O MRFX1K80H é o primeiro dispositivo baseado na nova tecnologia 65 V LDMOS que se concentra na facilidade de uso. Este transistor de alta robustez foi projetado para uso em aplicações industriais, científicas e médicas de alto VSWR, bem como em aplicações de rádio e transmissão de TV VHF, aeroespacial sub-GHz e aplicações de rádio móvel. Seu design de entrada e saída incomparável permite o uso de uma ampla faixa de frequência de 1.8 a 400 MHz. O MRFX1K80H é compatível com o pino (mesmo PCB) com sua versão de plástico MRFX1K80N, com MRFE6VP61K25H e MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), e com MRF1K50H e MRF1K50N (1500 W @ 50 V). Recurso
Detalhe
| Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
| 245 | 1 | 0 | 245 | DHL |
MRFX1K80H: 1800 W CW em 1.8-400 MHz, 65 V de banda larga RF RF Power Transistor LDMOS
Descrição
O MRFX1K80H é o primeiro dispositivo baseado na nova tecnologia 65 V LDMOS que concentra-se na facilidade de uso. Este transistor de alta robustez é projetado para uso em Aplicações industriais, científicas e médicas VSWR, bem como rádio e TV VHF aplicações de transmissão, aeroespacial sub-GHz e rádio móvel. Sua entrada incomparável e o projeto de saída permite o uso de uma ampla faixa de frequência de 1.8 a 400 MHz.O MRFX1K80H é compatível com pinos (mesmo PCB) com sua versão de plástico MRFX1K80N, com MRFE6VP61K25H e MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), e com MRF1K50H e MRF1K50N (1500 W @ 50 V).
●Com base na nova tecnologia 65 V LDMOS, projetada para facilidade de uso
●Caracterizado de 30 a 65 V para a faixa de potência estendida
●Entrada e saída incomparáveis
●Alta tensão de ruptura para maior confiabilidade e arquiteturas de maior eficiência
●Alta capacidade de absorção de energia de avalanche de fonte de drenagem
●Alta robustez. Lida com 65: 1 VSWR.
●compatível com RoHS
●Opção de menor resistência térmica na embalagem de plástico moldado: MRFX1K80N
Aplicações
● Industrial, científico, médico (ISM)● geração de laser
● geração de plasma
● aceleradores de partículas
● MRI, ablação por RF e tratamento da pele
● Sistemas industriais de aquecimento, soldagem e secagem
● Transmissão de rádio e TV VHF
● Aeroespacial
● Comunicações HF
● radar
O pacote inclui
1xMRFX1K80H Transistor LDMOS de Potência RF
| Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
| 245 | 1 | 0 | 245 | DHL |
