FMUSER Original New MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast fornecedor one-stop

FMUSER Original New MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor DESCRIÇÃO O MGF2430A, GaAs FET com um Schottkygate de canal N, é projetado para amplificadores de banda L a Ku. CARACTERÍSTICAS ● Potência de saída elevada P1dB = 30.5 dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz ● Ganho linear elevado GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz ● Eficiência de alta potência adicionada P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB ● Embalagem de metal hermeticamente selada APLICAÇÃO ● Para amplificadores de potência de banda L a Ku QUALIDADE ● DESENHO IGOUTLINE CONDIÇÕES BIAS RECOMENDADAS ● Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500 ● Classificações máximas absolutas ● VGDO Gate to Source Voltage ● VGSO Gate to Source Voltage ● IDSS Satu

Detalhe

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FMUSER Original Novo MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

DESCRIÇÃO

O MGF2430A, GaAs FET com um Schottkygate de canal N, é projetado para amplificadores de banda L a Ku.

CARATERÍSTICAS

●Potência de alta saída; P1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz

●Ganho linear alto GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz

●Eficiência de alta potência adicionada P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB

●Embalagem de metal hermeticamente selada APLICAÇÃO

●Para amplificadores de potência de banda L a Ku QUALIDADE

●DESENHO DE IGOUTLINE

CONDIÇÕES DE BIAS RECOMENDADAS

●Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500
●Avaliações máximas absolutas
●Porta VGDO para Tensão de Fonte
●VGSO Gate para tensão de fonte
●Corrente de drenagem saturada IDSS
●Corrente de porta reversa IGR
●IGF Forward Gate atual
●PT * 1 dissipação de potência total
●Temperatura do canal de Tch

●Tstg Temperatura de armazenamento * 1: Tc = 25 ° C (Ta = 25 ° C)