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FMUSER Novo MRF171A RF Transistor de potência MOSFET

FMUSER Original New MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Descrição Projetado principalmente para saída de grande sinal de banda larga e estágios de driver de 30–200 MHz. Características ● Modo de aprimoramento de canal N MOSFET ● Excelente estabilidade térmica adequada para operação Cass A ● Desempenho garantido a 150 MHz, 28 Vdc: Potência de saída = 45 W, ● Ganho de potência = 17 dB (min) 'Eficiência = 60% (min) ● Dados típicos para aplicações de amplificadores de potência na indústria, ● Equipamento de rádio comercial e amador: ● Desempenho típico a 30 MHz, 28 Vdc: Potência de saída = 30 W, Potência ● ganho = 20 dB (típico) (PEP), Eficiência = 50 % (típico), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (

Detalhe

Preço (USD) Qtde (PCS) Shipping (USD) Total (USD) Método de Envio: Pagamento
56 1 0 56 correio aéreo

 



FMUSER Original Novo MRF171A  Transistor de potência RF MOSFET de potência  Transistor 





Descrição

Projetado principalmente para saída de sinal grande de banda larga e driver estágios de 30–200 MHz.


Funcionalidades

MOSFET do modo de aprimoramento do canal N
Excelente estabilidade térmica adequada para operação Cass A
Desempenho garantido a 150 MHz, 28 Vdc: Potência de saída = 45 W, 
Ganho de potência = 17 dB (min) 'Eficiência = 60% (min)
Dados típicos para aplicações de amplificadores de potência na indústria, 

Equipamento de rádio comercial e amador:

Desempenho típico a 30 MHz, 28 Vdc: Potência de saída = 30 W, potência 

ganho = 20 dB (típico) (PEP), Eficiência = 50% (típico), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (típico)
Ouro Top Metal
Baixa Crss - 8 pF @ VDS = 28 V
100% testado para incompatibilidade de carga em todos os ângulos de fase com 30: 1 VSWR
Facilita o controle de ganho manual, ALC e técnicas de modulação

Aplicações

 Aeroespacial e defesa
 ISM
O pacote inclui

1x MRF171A RF Power Transistor



 

 

Preço (USD) Qtde (PCS) Shipping (USD) Total (USD) Método de Envio: Pagamento
56 1 0 56 correio aéreo

 

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