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FMUSER Original Novo MRF6VP11KH Transistor de Potência RF Transistor MOSFET de Potência
FMUSER Original New MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor FMUSER MRF6VP11KHR6 é projetado principalmente para aplicações de banda larga pulsada com frequências de até 150 MHz. O dispositivo é incomparável e adequado para uso em aplicações industriais, médicas e científicas. Apresenta desempenho pulsado típico a 130 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watts de pico (200 W méd.), Largura de pulso = 100 µseg, Ciclo de trabalho = 20% Ganho de energia: 26 dB Eficiência de drenagem: 71 % Capaz de lidar com 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts de energia de pico caracterizada com parâmetros de impedância de grande sinal equivalente em série Capacidade de operação CW com resfriamento adequado qualificado até um máximo de 50 VDD Operação proteção ESD integrada
Detalhe
| Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
| 215 | 1 | 0 | 215 | DHL |
FMUSER Original Novo MRF6VP11KH Transistor de Potência RF Transistor MOSFET de Potência
FMUSER MRF6VP11KHR6 é projetado principalmente para aplicações de banda larga pulsada com frequências de até 150 MHz. O dispositivo é incomparável e adequado para uso em aplicações industriais, médicas e científicas.
Funcionalidades
Desempenho pulsado típico a 130 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watts de pico (200 W méd.), Largura de pulso = 100 µseg, Ciclo de trabalho = 20%
Ganho de potência: 26 dB
Escorra Eficiência: 71%
Capaz de Manipulação de 10: 1 VSWR, 50 VDC, 130 MHz, 1000 Watts Peak Power
Caracterizado com parâmetros equivalentes de impedância de sinal de série
Capacidade de Operação CW com Refrigeração Adequada
Qualificado até um máximo de operação 50 VDD
Integrado de Proteção ESD
Projetado para operação Push-Pull
Grande faixa de tensão de gate-source negativa para operação de Classe C melhorada
RoHS Compliant
Em fita e bobina. Sufixo R6 = 150 unidades por 56 mm, carretel de 13 polegadas
Especificação
Tipo de Transistor: LDMOS
Tecnologia: Si
Indústria de aplicativos: ISM, Broadcast
Aplicação: Científica, Médica
CW / Pulso: CW
Frequência: 1.8 a 150 MHz
Potência: 53.01 dBm
Potência (W): 199.99 W
P1dB: 60.57dBm
Potência de pico de saída: 1000 W
Largura pulsada: 100 us
Duty_Cycle: 0.2
Ganho de potência (Gp): 24 a 26 dB
Retorno de entrada: Perda: -16 a -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polaridade: Canal N
Tensão de alimentação: 50 V
Tensão limite: 1 a 3 Vdc
Tensão de ruptura - Fonte de drenagem: 110 V
Tensão - Gate-Source: (Vgs): - 6 a 10 Vdc
Eficiência de drenagem: 0.71
Corrente de drenagem: 150 mA
Impedância Zs: 50 Ohms
Resistência térmica: 0.03 ° C / W
Pacote: Tipo: Flange
Pacote: CASE375D - 05 ESTILO 1 NI - 1230--4
RoHS: Sim
Temperatura operacional: 150 graus C
Temperatura de armazenamento: -65 a 150 graus C
O pacote inclui
1x MRF6VP11KH RF Transistor de potência
| Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
| 215 | 1 | 0 | 215 | DHL |
