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O FMUSER Original MRF151 To-59 Tubo de Alta Frequência 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Banda Larga MOSFET RF Transistor de Efeito de Campo de Potência

O FMUSER Original MRF151 To-59 Tubo de alta frequência 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Banda larga MOSFET RF Potência de campo transistor Visão geral Os dispositivos da série MRF são transistores de RF bipolares de 1 MHz a 3.5 GHz de alto desempenho. Esses transistores bipolares da Tech são ideais para aviônica, comunicações, radar e aplicações industriais, científicas e médicas. Os dispositivos da série MRF fazem parte de uma ampla gama de transistores de potência de RF que também inclui amplificadores de palete, transistores TMOS e DMOS e transistores LDMOS. Características ● Desempenho garantido a 30 MHz, 50 V: ● Potência de saída - 150 W ● Ganho - 18 dB (22 dB típico) ● Eficiência - 40% ● Desempenho típico a 175 MHz, 50 V: ● Ou

Detalhe

Preço (USD) Qtde (PCS) Shipping (USD) Total (USD) Método de Envio: Pagamento
149 1 0 149 DHL

 


O tubo de alta frequência FMUSER Original MRF151 To-59

Transistor de efeito de campo de potência de MOSFET de banda larga N-Channel de 150 W, 50 V, 175 MHz 

Visão geral

Os dispositivos da série MRF são transistores RF bipolares de 1MHz a 3.5GHz de alto desempenho. Esses transistores bipolares da Tech são ideais para aplicações aviônicas, de comunicações, de radar e industriais, científicas e médicas. Os dispositivos da série MRF fazem parte de uma ampla gama de transistores de potência de RF que também incluem amplificadores de paletes, transistores TMOS e DMOS e transistores LDMOS.


Funcionalidades

● Desempenho garantido em 30 MHz, 50 V:
 Potência de saída - 150 W
 Ganho - 18 dB (22 dB Typ)
 Eficiência - 40%
 Desempenho típico em 175 MHz, 50 V:
 Potência de saída - 150 W
 Ganho - 13 dB

 Baixa resistência térmica
 Robustez testada na potência nominal de saída
 Matriz passivada por nitreto para maior confiabilidade


Descrição 

Transistores RF MOSFET 5-175 MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB. Projetado para aplicações comerciais e militares de banda larga em frequências de 175 MHz. A alta potência, alto ganho e desempenho de banda larga deste dispositivo possibilitam transmissores de estado sólido para transmissão FM ou bandas de frequência de canal de TV.

Especificação

 Categoria de Produto: Transistores MOSFET RF
 Polaridade do transistor: Canal n
 Id - Corrente de drenagem contínua: 16 A
 Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 125 V
 Ganho: 13 dB
 Potência de saída: 150 W
 Temperatura operacional mínima: - 65ºC
 Temperatura operacional máxima: + 150ºC
 Estilo de montagem: SMD / SMT
 Pacote / Caso: 221-11-3
 Embalagem: Bandeja
 Configuração: Individual
 Frequência de operação: 175 MHz
 Pd - Dissipação de energia: 300 W
 Tipo de produto: Transistores MOSFET RF
 Quantidade do pacote de fábrica: 20
 Subcategoria: MOSFETs
 Vgs - Tensão porta-fonte: 40 V
 Vgs th - Tensão limite da porta e fonte: 3 V



 

 

Preço (USD) Qtde (PCS) Shipping (USD) Total (USD) Método de Envio: Pagamento
149 1 0 149 DHL

 

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