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O FMUSER Original MRF151 To-59 Tubo de Alta Frequência 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Banda Larga MOSFET RF Transistor de Efeito de Campo de Potência
O FMUSER Original MRF151 To-59 Tubo de alta frequência 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Banda larga MOSFET RF Potência de campo transistor Visão geral Os dispositivos da série MRF são transistores de RF bipolares de 1 MHz a 3.5 GHz de alto desempenho. Esses transistores bipolares da Tech são ideais para aviônica, comunicações, radar e aplicações industriais, científicas e médicas. Os dispositivos da série MRF fazem parte de uma ampla gama de transistores de potência de RF que também inclui amplificadores de palete, transistores TMOS e DMOS e transistores LDMOS. Características ● Desempenho garantido a 30 MHz, 50 V: ● Potência de saída - 150 W ● Ganho - 18 dB (22 dB típico) ● Eficiência - 40% ● Desempenho típico a 175 MHz, 50 V: ● Ou
Detalhe
Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
149 | 1 | 0 | 149 | DHL |
O tubo de alta frequência FMUSER Original MRF151 To-59
Transistor de efeito de campo de potência de MOSFET de banda larga N-Channel de 150 W, 50 V, 175 MHz
Visão geral
Os dispositivos da série MRF são transistores RF bipolares de 1MHz a 3.5GHz de alto desempenho. Esses transistores bipolares da Tech são ideais para aplicações aviônicas, de comunicações, de radar e industriais, científicas e médicas. Os dispositivos da série MRF fazem parte de uma ampla gama de transistores de potência de RF que também incluem amplificadores de paletes, transistores TMOS e DMOS e transistores LDMOS.
● Desempenho garantido em 30 MHz, 50 V:
● Potência de saída - 150 W
● Ganho - 18 dB (22 dB Typ)
● Eficiência - 40%
● Desempenho típico em 175 MHz, 50 V:
● Potência de saída - 150 W
● Ganho - 13 dB
● Baixa resistência térmica
● Robustez testada na potência nominal de saída
● Matriz passivada por nitreto para maior confiabilidade
Descrição
Transistores RF MOSFET 5-175 MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB. Projetado para aplicações comerciais e militares de banda larga em frequências de 175 MHz. A alta potência, alto ganho e desempenho de banda larga deste dispositivo possibilitam transmissores de estado sólido para transmissão FM ou bandas de frequência de canal de TV.
Especificação
● Categoria de Produto: Transistores MOSFET RF
● Polaridade do transistor: Canal n
● Id - Corrente de drenagem contínua: 16 A
● Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 125 V
● Ganho: 13 dB
● Potência de saída: 150 W
● Temperatura operacional mínima: - 65ºC
● Temperatura operacional máxima: + 150ºC
● Estilo de montagem: SMD / SMT
● Pacote / Caso: 221-11-3
● Embalagem: Bandeja
● Configuração: Individual
● Frequência de operação: 175 MHz
● Pd - Dissipação de energia: 300 W
● Tipo de produto: Transistores MOSFET RF
● Quantidade do pacote de fábrica: 20
● Subcategoria: MOSFETs
● Vgs - Tensão porta-fonte: 40 V
● Vgs th - Tensão limite da porta e fonte: 3 V
Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
149 | 1 | 0 | 149 | DHL |