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O FMUSER Original SD2941-10 MOSFETs HF / VHF / UHF MOS de canal N com efeito de campo Transistor de efeito de campo de potência de RF de banda larga e efeito de campo
O FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs MOS de efeito de campo de canal N de banda larga RF Transistor de efeito de campo de potência Descrição O SD2941-10 é um transistor de potência de RF de efeito de campo MOS de canal N metalizado ouro, destinado para uso em Aplicações de grande sinal de 28 V a 50 V dc até 230 MHz. Ele oferece RDS (ativado) 25% menor do que o padrão da indústria, com PSAT 20% maior do que o dispositivo SD2931-10 da ST. O SD2941-10 está alojado no pacote não pedestal M174 térmico baixo, oferecendo resistência térmica 25% menor do que o padrão da indústria, tornando-o assim o transistor "melhor da classe" para aplicações ISM, onde confiabilidade e robustez são fatores críticos . Specifica
Detalhe
| Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
| 79 | 1 | 0 | 79 | Correio aéreo |
Descrição
O SD2941-10 é um canal N metalizado em ouro Transistor de potência RF de efeito de campo MOS, destinado a uso em aplicações de sinal grande de 28 V a 50 V dc a 230 MHz. Oferece RDS (on) 25% menor que o padrão da indústria, com PSAT 20% superior ao Dispositivo SD2931-10 da ST. O SD2941-10 é alojado no baixo suporte térmico M174 não pacote, oferecendo resistência térmica 25% menor do que o padrão da indústria, tornando-o transistor "best-in-class" para aplicações ISM, onde a confiabilidade e a robustez são críticas fator.
Especificações
● Categoria de produto: Transistores RF MOSFET
● Polaridade do transistor: N-Channel
● Id - Corrente de drenagem contínua: 20 A
● Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 130 V
● Ganho: 15.8 dB
● Potência de saída: 175 W
● Temperatura mínima de operação: - 65 C
● Temperatura máxima de operação: + 150 C
● Estilo de montagem: SMD / SMT
● Embalagem / estojo: M174
● Embalagem: Bulk
● Configuração: Único
● Altura: 7.11 mm
● Duração: 24.89 mm
● Freqüência de operação: 230 MHz
● Série: SD2941
● Tipo: MOSFET de potência RF
● Largura: 12.83 mm
● Transcondutância de avanço - Mín: 6 S
● Modo de Canal: Aprimoramento
● Pd - Dissipação de energia: 389 W
● Tipo de produto: Transistores RF MOSFET
● Quantidade do pacote de fábrica: 25
● Subcategoria: MOSFETs
● Vgs - Tensão porta-fonte: 20 V
Funcionalidades
● Metalização de ouro
● Excelente estabilidade térmica
● Configuração de origem comum
● POUT = 175 W min. com ganho de 15 dB a 175
MHz, 50 V
● POUT = 135 W tip. com ganho de 14 dB a 123 MHz,
28 V
● RDS baixo (ativado)
● Embalagem termicamente aprimorada para menor
● temperaturas de junção
● Em conformidade com as normas europeias 2002/95 / EC1
Directivas
| Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
| 79 | 1 | 0 | 79 | Correio aéreo |
