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FMUSER Original Novo SD2931-11 RF Transistor De Potência Ganho de Alta Potência Transistor MOSFET 20V
FMUSER Original New SD2931-11 Transistor de potência RF Transistor MOSFET 20V de ganho de alta potência Descrição: O SD2931-11 é um transistor de potência RF de efeito de campo MOS de canal N metalizado a ouro. Sendo eletricamente idêntico ao MOSFET SD2931 padrão, ele se destina ao uso em aplicações de grande sinal de 50 V CC até 230 MHz. O SD2931-11 é compatível mecanicamente com o SD2931, mas oferece, além disso, uma melhor capacidade térmica (resistência térmica 25% menor), representando os melhores transistores da classe para aplicações ISM, onde confiabilidade e robustez são fatores críticos. Características: * Metalização de ouro * Excelente estabilidade térmica * Fonte comum
Detalhe
| Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
| 108 | 1 | 35 | 143 | DHL |
FMUSER Original Novo SD2931-11 RF Transistor De Potência Ganho de Alta Potência Transistor MOSFET 20V
Descrição:
O SD2931-11 é um canal N metalizado dourado Transistor de potência RF com efeito de campo MOS. Ser eletricamente idêntico ao padrão SD2931 MOSFET, destina-se ao uso em 50 V dc grande aplicações de sinal de até 230 MHz. O SD2931-11 é compatível mecanicamente com o SD2931, mas oferece, além disso, um melhor desempenho térmico capacidade (25% menor resistência térmica), representando os melhores transistores da classe para ISM aplicações, onde confiabilidade e robustez são fatores críticos.
Características:
* Metalização de ouro
* Excelente estabilidade térmica
* Configuração de origem comum
* POUT = 150 W min. com ganho 14 dB @ 175MHz
* Embalagem termicamente aprimorada para menor
* temperaturas de junção
* Classificação GFS e VGS marcada na unidade
Especificação:
* Série: SD2931* Categoria de produto: Transistores RF MOSFET
* Polaridade do transistor: N-Channel
* Tecnologia: Si
* Id - Corrente de drenagem contínua: 20 A
* Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 125 V
* Ganho: 15 dB
* Potência de saída: 150 W
* Temperatura mínima de operação: - 65 C
* Temperatura máxima de operação: + 200 C
* Estilo de montagem: Montagem por parafuso
* Embalagem: Bulk
* Configuração: Fonte dupla única
* Altura: 7.11 mm (máx.)
* Comprimento: 24.89 mm (máx.)
* Freqüência de operação: 230 MHz
* Largura: 12.83 mm (Máx.)
* Modo de canal: aprimoramento
* Pd - Dissipação de energia: 389 W
* Vgs - Tensão porta-fonte: 20 V
| Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
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