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FMUSER Original Novo MRFE6VP5600H RF Transistor de potência MOSFET transistor de potência para 600 w FM transmissor
FMUSER Original New MRFE6VP5600H RF Power Transistor Power MOSFET Transistor para 600w FM Transmitter Overview: Estes dispositivos de alta robustez, MRFE6VP5600HR6 e MRFE6VP5600HSR6, são projetados para uso em alto VSWR industrial (incluindo excitadores de plasma e laser), broadcast (analógico e digital), aeroespacial e aplicações móveis de rádio / terra. Eles são designs de entrada e saída incomparáveis, permitindo a utilização de ampla faixa de frequência, entre 1.8 e 600 MHz. Características: * Entrada e saída incomparáveis, permitindo a ampla utilização da faixa de frequência. * O dispositivo pode ser usado com uma extremidade ou em uma configuração Push-Pull. * Qualificado até um máximo de 50 VDD em operação. * Personagem
Detalhe
| Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
| 265 | 1 | 35 | 300 | DHL |
FMUSER Original Novo MRFE6VP5600H RF Transistor de potência MOSFET transistor de potência para 600 w FM transmissor
Visão geral:
Esses dispositivos de alta robustez, MRFE6VP5600HR6 e MRFE6VP5600HSR6, foram projetados para uso em aplicações industriais de alto VSWR (incluindo excitadores de laser e plasma), broadcast (analógico e digital), aeroespacial e rádio / terrestre. São projetos de entrada e saída incomparáveis, permitindo uma ampla faixa de frequência, entre 1.8 e 600 MHz.
Características:
* Entrada e saída incomparáveis, permitindo uma ampla faixa de frequência de utilização.
* O dispositivo pode ser usado com uma extremidade ou em uma configuração Push-Pull.
* Qualificado até um Maximum de 50 Operação VDD.
* Caracterizado de 30 V a 50 V para faixa de potência estendida.
* Adequado para aplicação linear com polarização apropriada.
* Proteção ESD integrada com maior faixa de tensão de porta-fonte negativa para operação aprimorada de classe C.
* Caracterizado com parâmetros de impedância equivalentes a grandes sinais da série.
* Compatível com RoHS.
* Em fita e bobina. Sufixo R6 = Unidades 150, 56 mm Largura da fita, 13 inch Reel.
* Esses produtos estão incluídos em nosso programa de longevidade de produtos com fornecimento seguro por um mínimo de 15 anos após o lançamento.
Parâmetros-chave:
|
Frequência (Min) (MHz) |
1.8 |
|
Frequência (Max) (MHz) |
600 |
|
Tensão de alimentação (Typ) (V) |
50 |
|
P1dB (Tipo) (dBm) |
57.8 |
|
P1dB (tipo) (W) |
600 |
|
Potência de saída (Typ) (W) @ Nível de intermodulação no sinal de teste |
600.0 @ CW |
|
Sinal de teste |
1-TOM |
|
Ganho de potência (Typ) (dB) @ f (MHz) |
24.6 230 @ |
|
Eficiência (Typ) (%) |
75.2 |
|
Resistência térmica (Spec) (℃ / W) |
0.12 |
|
Aula |
AB |
|
Correspondente |
incomparável |
|
Tecnologia de Molde |
LDMOS |
Tabela de desempenho de RF:
Banda estreita de 230 MHz
Desempenho típico: VDD = 50 Volts, IDQ = 100 mA
|
Tipo de sinal |
Faneca (W) |
f (MHz) |
GPS (dB) |
ηD (%) |
IRL (dB) |
|
Pulso (100 µseg, ciclo de trabalho de 20%) |
600 Picos |
230 |
25.0 |
74.6 | -18 |
| CW |
600 Média |
230 | 24.6 | 75.2 | -17 |
O pacote inclui:
1*Transistor de potência MRFE6VP5600H RF
| Preço (USD) | Qtde (PCS) | Shipping (USD) | Total (USD) | Método de Envio: | Pagamento |
| 265 | 1 | 35 | 300 | DHL |
