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FMUSER Original Novo D1029UK RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Dual N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5 pinos DR D1029UK

FMUSER Original Novo D1029UK RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Dual N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5 pinos DR D1029UK Características SIMPLIFIED AMPLIFICADOR DESIGN ADEQUADO PARA APLICAÇÕES DE BANDA LARGA BAIXO CRSS SIMPLES BIAS CIRCUITOS BAIXO RUÍDO MÍNIMO DIMUM-13 Especificações Atributo / valor Tipo de canal: N Corrente máxima de drenagem contínua: 35 A Tensão máxima da fonte de drenagem: 70 V Tipo de pacote: DR Tipo de montagem: Montagem em painel Contagem de pinos: 5 Modo de canal: Tensão de limiar de porta máxima aprimorada: 7V Dissipação máxima de energia: 438 W Configuração do transistor: Fonte comum Tensão máxima da fonte da porta: -20 V, +20 V Número de elementos por chip: 2 Temperatura máxima de operação: +200 ° C Transi

Detalhe

Preço (USD) Qtde (PCS) Shipping (USD) Total (USD) Método de Envio: Pagamento
149 1 0 149 DHL

 



FMUSER Original Novo D1029UK RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Dual N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5 pinos DR D1029UK





Funcionalidades

DESIGN SIMPLIFICADO DE AMPLIFICADOR
ADEQUADO PARA APLICAÇÕES DE BANDA LARGA
Crss BAIXO
CIRCUITOS SIMPLES
BARULHO BAIXO
ALTO GANHO-13 db MÍNIMO



Especificações

Valor do atributo
Tipo de canal: N
Corrente máxima de drenagem contínua: 35 A
Tensão máxima da fonte de drenagem: 70 V
Tipo de pacote: DR
Tipo de Montagem: Montagem em Painel
Contagem de pinos: 5
Modo de Canal: Aprimoramento
Tensão máxima do limiar da porta: 7V
Dissipação máxima de potência: 438 W
Configuração do transistor: fonte comum
Tensão máxima da fonte da porta: -20 V, +20 V
Número de elementos por chip: 2
Temperatura máxima de operação: +200 ° C
Material do transistor: Si
Altura: 5.08mm
Largura: 10.16mm
Série: TetraFET
Duração: 34.03mm

 

O pacote inclui:
1x MRF1K50H transistor de potência RF



 

 

Preço (USD) Qtde (PCS) Shipping (USD) Total (USD) Método de Envio: Pagamento
149 1 0 149 DHL

 

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